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类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：1.6A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：140mΩ@10V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：11.3nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：444.2pF@30V 反向传输电容(Crss@Vds)：17.9pF@30V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
下载数据手册 在线咨询产品名称: SL2309 P沟道中压MOSFET
概述：
SL2309是一款中压P沟道MOSFET，漏源电压为60V，连续漏极电流为1.6A，具有低导通电阻和高速开关特性。此外，该器件还具有低阈值电压和低输入电容等特点，非常适合用于功率开关和DC-DC转换器等应用中。
主要特性：
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 连续漏极电流（Id）：1.6A
- 功率（Pd）：1.5W
- 导通电阻（RDS(on)）：140mΩ @ 10V, 1.5A
- 阈值电压（Vgs(th)）：2V @ 250uA
- 栅极电荷（Qg）：11.3nC @ 10V
- 输入电容（Ciss）：444.2pF @ 30V
- 反向传输电容（Crss）：17.9pF @ 30V
- 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
- 封装：SOT-23-3
应用：
- DC-DC转换器
- 电池管理
- 电机驱动
- 电源开关
- LED驱动
注意事项：
- 此器件为静电敏感器件，操作时需注意防静电措施。
- 操作时需注意最大额定电压和电流，以免损坏器件。
- 器件工作温度不应超过规定范围。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL2309.pdf | SL2309 | - |
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MOS管SL2309A是一款P沟道MOS场效应管，由萨科微Slkor公司生产。其优越的电性能参数和SOT-23封装设计使其适用于多种电子应用。
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-60V 连续漏极电流(Id):-30A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@-10V,-15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.8V@-250μA
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-100V 连续漏极电流(Id):-20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):78mΩ@-10V,-10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.7V@-250uA 封装：TO-220
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 封装：SOP-8
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,11A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):33A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.0V@250uA 封装：TO-263
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):234mΩ@10V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA 封装：SOT-23
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：220mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5Ω@10V,220mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@1mA
