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产品概述:
2SA1797-Q是萨科微（Slkor）生产的PNP型三极管，是一款高性能半导体器件，适用于各种中功率放大和开关应用。
主要技术规格:
晶体管类型: PNP
集射极击穿电压(Vceo): -50V
集电极电流(Ic): -2A
功率(PC): 500mW
集电极截止电流(Icbo): -100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.35V @ -1A, -50mA
最大直流电流增益(max hFE@Ic,Vce): 270 @ -500mA, -2V
特征频率(fT): 200MHz
工作温度: -55℃ 到 +150℃ (Tj)
封装信息:SOT-89
主要特性和优势:
适中集射极击穿电压(Vceo): -50V的集射极击穿电压，适用于一般低至中压电路设计。
较大集电极电流(Ic): -2A的集电极电流，适用于中功率应用场景。
适中功率(PC): 500mW的功率，提供适度的功率处理能力。
低集电极截止电流(Icbo): -100nA的截止电流，有助于降低功耗。
低集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): -0.35V @ -1A, -50mA，具有低压降，提高效率。
最大直流电流增益(max hFE): 270 @ -500mA, -2V，提供增益的精确控制。
适中特征频率(fT): 200MHz的特征频率，适用于一些中高频应用。
应用领域:
2SA1797-Q三极管广泛应用于中功率放大器、开关电源、电机驱动器、电源管理等电子设备和电路。
注意事项:
在使用2SA1797-Q三极管时，请仔细阅读生产商提供的规格书和建议，以确保最佳性能和可靠性。
以上信息可能会因制造商更新而有所改变，建议在购买前查阅最新的规格书。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| 2SA1797-Q SOT-89.pdf | 2SA1797-Q SOT-89 | - |
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晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -20V 集电极电流(Ic): -5A 功率(Pd): 0.5W 集电极截止电流(Icbo): 0.5uA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 0.35V@-4A, 0.1A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.5A, -2V 特征频率(fT): 60MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-60V 集电极电流(Ic)：-3A 功率(PC)：10W 集电极截止电流(Icbo)：-10μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.3V@-1.5A,-0.15A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：60@-0.2A,-2V 特征频率(fT)：- 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：TO-252
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -80V 集电极电流(Ic): -1A 功率(Pd): 0.5W 集电极截止电流(Icbo): -1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.4V@-500mA, -50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.1A, -3V 特征频率(fT): 20MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：32V 集电极电流(Ic)：800mA 功率(PT)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：0.5μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：0.4V@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：390@100mA,3V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-23
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -32V 集电极电流(Ic): -2A 功率(Pd): 0.5W 集电极截止电流(Icbo): -1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.5V@-2A, -0.2A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.5A, -3V 特征频率(fT): 100MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-50V 集电极电流(Ic)：-100mA 功率(PD)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：-0.1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.3V@-100mA,-10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@-1mA,-6V 特征频率(fT)：180MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-23
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -120V 集电极电流(Ic): -800mA 功率(Pd): 500mW 集电极截止电流(Icbo): -100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -1V@-500mA, -50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 240 @ -100mA, -5V 特征频率(fT): 120MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo): 50V 集电极电流(Ic): 2A 功率(PD): 0.5W 集电极截止电流(Icbo): 0.05μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 0.5V@-1A,-50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 70@-500mA, -2V 特征频率(fT): 100MHz 工作温度：+150℃@(Tj) Package：SOT-89
