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产品概述:
2SB1261是由萨科微（Slkor）生产的PNP型三极管，是一款高性能的功率半导体器件，适用于功率放大和开关应用。
主要技术规格:
晶体管类型: PNP
集射极击穿电压(Vceo): -60V
集电极电流(Ic): -3A
功率(PC): 10W
集电极截止电流(Icbo): -10μA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.3V @ -1.5A, -0.15A
直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 60 @ -0.2A, -2V
工作温度: -55℃ 到 +150℃ (Tj)
封装信息:TO-252
主要特性和优势:
适中集射极击穿电压(Vceo): -60V的集射极击穿电压，适用于一般低至中压电路设计。
较大集电极电流(Ic): -3A的集电极电流，适用于中功率应用场景。
高功率(PC): 10W的功率，提供较大的功率处理能力。
低集电极截止电流(Icbo): -10μA的截止电流，有助于降低功耗。
低集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): -0.3V @ -1.5A, -0.15A，具有低压降，提高效率。
适中直流电流增益(hFE): 60 @ -0.2A, -2V，提供增益的精确控制。
应用领域:
2SB1261三极管广泛应用于功率放大器、开关电源、电机驱动器、电源管理等高功率电子设备和电路。
注意事项:
在使用2SB1261三极管时，请仔细阅读生产商提供的规格书和建议，以确保最佳性能和可靠性。
以上信息可能会因制造商更新而有所改变，建议在购买前查阅最新的规格书。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| 2SB1261 TO-252.pdf | 2SB1261 TO-252 | - |
支持
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Longevity
The Longevity Program is aimed to provide our customers information from time to time about the expected time that our products can be ordered. The NLP is reviewed and updated regularly by our executive Management Team. View our longevity program here.
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -20V 集电极电流(Ic): -5A 功率(Pd): 0.5W 集电极截止电流(Icbo): 0.5uA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 0.35V@-4A, 0.1A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.5A, -2V 特征频率(fT): 60MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -80V 集电极电流(Ic): -1A 功率(Pd): 0.5W 集电极截止电流(Icbo): -1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.4V@-500mA, -50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.1A, -3V 特征频率(fT): 20MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：32V 集电极电流(Ic)：800mA 功率(PT)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：0.5μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：0.4V@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：390@100mA,3V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-23
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -32V 集电极电流(Ic): -2A 功率(Pd): 0.5W 集电极截止电流(Icbo): -1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.5V@-2A, -0.2A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.5A, -3V 特征频率(fT): 100MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-50V 集电极电流(Ic)：-100mA 功率(PD)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：-0.1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.3V@-100mA,-10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@-1mA,-6V 特征频率(fT)：180MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-23
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-50V 集电极电流(Ic)：-2A 功率(PC)：500mW 集电极截止电流(Icbo)：-100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.35V@-1A,-50mA 直流电流增益max(hFE@Ic,Vce)：270@-500mA,-2V 特征频率(fT)：200MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-89
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -120V 集电极电流(Ic): -800mA 功率(Pd): 500mW 集电极截止电流(Icbo): -100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -1V@-500mA, -50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 240 @ -100mA, -5V 特征频率(fT): 120MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo): 50V 集电极电流(Ic): 2A 功率(PD): 0.5W 集电极截止电流(Icbo): 0.05μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 0.5V@-1A,-50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 70@-500mA, -2V 特征频率(fT): 100MHz 工作温度：+150℃@(Tj) Package：SOT-89
