三极管S8050W

三极管S8050W

0.5A|0.3W|0.6V@500mA,50mA|150MHz|SOT-323|25V|三极管|三极管(BJT)|VCEO(V),IC(A),PD(W),VCE(sat)(V),fT(MHz),Package|Triode|

slkor萨科微S8050W是一款NPN型晶体管,适用于低功率应用和信号放大电路。该晶体管具有稳定的性能和可靠性,适合各种消费类电子产品和通信设备的设计与应用。

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产品概述

slkor萨科微S8050W是一款NPN型晶体管,适用于低功率应用和信号放大电路。该晶体管具有稳定的性能和可靠性,适合各种消费类电子产品和通信设备的设计与应用。


主要特性

晶体管类型:NPN

集射极击穿电压(Vceo):25V,具有正向击穿保护功能。

集电极电流(Ic):0.5mA,适用于低功率应用。

功率(Pd):0.3W,能够耗散适度的功率。

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):0.6V@500mA,50mA,具有低饱和压降。

直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120 @ 50mA, 1V,具有合适的电流放大倍数。

特征频率(fT):150MHz,适用于高频电路设计。

工作温度:最高可达+150℃(Tj),适应高温环境。

应用领域:

低功率电子设备和电路

信号放大器和控制电路

模拟电路和开关电路

传感器和测量设备

产品优势:

正向击穿电压保护功能,提高稳定性和可靠性。

适用于低功率应用,如传感器和探测器。

低饱和压降,有利于实现高效能耗电路设计。

合适的直流电流增益,适用于信号放大和控制。

特征频率高,适用于高频电路设计。

宽广的工作温度范围,适应不同环境需求。

注意事项:

在使用S8050W时,请注意正确极性连接,确保电路正常工作。

注意控制集电极电流和基极电流,以确保在安全工作范围内。

在设计电路时,考虑散热和功率耗散,以确保晶体管正常工作。


关于萨科微Slkor

萨科微Slkor专注于半导体器件的设计和生产,拥有先进的技术和丰富的行业经验,致力于为客户提供高品质、高性能的半导体器件,并为客户的设计提供*的支持和解决方案。



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