晶体管类型: NPN

集射极击穿电压(Vceo): 20V

集电极电流(Ic): 1A

功率(Pd): 1.35W

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@1A,100mA

直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 200@500mA,1V

特征频率(fT): 40MHz

工作温度: +150℃@(Tj)