中压MOS管AOD409

中压MOS管AOD409

该P沟道MOS管适用于各种电源管理、开关电源和电机控制应用。

类型:P沟道
漏源电压(Vdss):-60V
连续漏极电流(Id):-30A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@-10V,-20A
阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.8V@-250uA
封装:TO-252

下载数据手册 在线咨询

产品名称:MOS管 AOD409


生产商:萨科微Slkor


产品类型:P沟道


电性能参数:

漏源电压(Vdss): -60V

连续漏极电流(Id): -30A

导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id): 30mΩ @ -10V, -20A

阈值电压(Vgs(th)@Id): -1.8V @ -250uA

封装规格:

封装类型: TO-252

产品特性与应用:

该P沟道MOS管适用于各种电源管理、开关电源和电机控制应用。以下是产品的主要特性:


主要特性:

适用于负载开关电源: 具有-60V的漏源电压,可在负载开关电源等应用中发挥作用。

高电流能力: 连续漏极电流达到-30A,适用于高功率应用。

低导通电阻: 在-10V电压和-20A电流下,导通电阻为30mΩ,有助于减少功耗。

低阈值电压: 阈值电压为-1.8V @ -250uA,有助于确保准确的电路控制。

封装优势:

TO-252封装提供了*的散热性能,适用于中功率应用,并易于安装在电路板上。


应用领域:

该P沟道MOS管适用于电源开关、电机控制、逆变器和其他需要负载开关的电子应用。


安全与可靠性:

产品通过严格的质量控制和测试,确保在各种工作条件下稳定可靠。请按照产品规格书和应用注意事项正确使用。


散热设计建议:

由于高电流和功率特性,建议在设计中考虑有效的散热措施,以确保MOS管工作在合适的温度范围内。


总结:

该P沟道MOS管以其适用于负载开关电源的特性,为各种电子系统提供了可靠的解决方案。在需要P沟道MOS管的中功率应用场景下,此产品是一个值得考虑的选择。



支持

如果您需要设计/技术支持,请告知我们并填写 应答表 我们会尽快回复您。


Longevity

The Longevity Program is aimed to provide our customers information from time to time about the expected time that our products can be ordered. The NLP is reviewed and updated regularly by our executive Management Team. View our longevity program here.

相关产品

中压MOS管AOD409

中压MOS管IRFR5305

类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-60V 连续漏极电流(Id):-30A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@-10V,-15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.8V@-250μA

中压MOS管AOD409

中压MOS管IRF9540

类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-100V 连续漏极电流(Id):-20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):78mΩ@-10V,-10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.7V@-250uA 封装:TO-220

中压MOS管AOD409

中压MOS管IRF7341

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 封装:SOP-8

中压MOS管AOD409

中压MOS管IRF640

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,11A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA

中压MOS管AOD409

中压MOS管IRF540NS

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):33A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.0V@250uA 封装:TO-263

中压MOS管AOD409

中压MOS管BSS169

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):234mΩ@10V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA 封装:SOT-23

中压MOS管AOD409

中压MOS管BSS138

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id):220mA 功率(Pd):225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5Ω@10V,220mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@1mA

中压MOS管AOD409

中压MOS管BSS131

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):240V 连续漏极电流(Id):0.1A 功率(Pd):0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.07Ω@4.5V,0.09A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@56μA

服务热线

0755-83044319

北斗/GPS天线咨询

板端座子咨询

连接器咨询

获取产品资料