中压MOS管AOD409

中压MOS管AOD409

P沟道MOS管AOD409具有-60V漏源电压(Vdss)和-30A的连续漏极电流(Id)。导通电阻为30mΩ,阈值电压为-1.8V,适用于高功率应用。其TO-252封装确保 .的散热性能,适合要求高电流和低损耗的电路设计。

该P沟道MOS管具有-60V的漏源电压和-30A的最大连续漏极电流,导通电阻为30mΩ,确保低功耗和高效能。阈值电压为-1.8V,适合低压和中压开关、功率控制应用。广泛应用于电源管理、电动汽车、开关电源以及其他中高功率控制系统中,封装为TO-252,便于集成。

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产品名称:MOS管 AOD409


生产商:萨科微Slkor


产品类型:P沟道


电性能参数:

漏源电压(Vdss): -60V

连续漏极电流(Id): -30A

导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id): 30mΩ @ -10V, -20A

阈值电压(Vgs(th)@Id): -1.8V @ -250uA

封装规格:

封装类型: TO-252

产品特性与应用:

该P沟道MOS管适用于各种电源管理、开关电源和电机控制应用。以下是产品的主要特性:


主要特性:

适用于负载开关电源: 具有-60V的漏源电压,可在负载开关电源等应用中发挥作用。

高电流能力: 连续漏极电流达到-30A,适用于高功率应用。

低导通电阻: 在-10V电压和-20A电流下,导通电阻为30mΩ,有助于减少功耗。

低阈值电压: 阈值电压为-1.8V @ -250uA,有助于确保准确的电路控制。

封装优势:

TO-252封装提供了 .的散热性能,适用于中功率应用,并易于安装在电路板上。


应用领域:

该P沟道MOS管适用于电源开关、电机控制、逆变器和其他需要负载开关的电子应用。


安全与可靠性:

产品通过严格的质量控制和测试,确保在各种工作条件下稳定可靠。请按照产品规格书和应用注意事项正确使用。


散热设计建议:

由于高电流和功率特性,建议在设计中考虑有效的散热措施,以确保MOS管工作在合适的温度范围内。


总结:

该P沟道MOS管以其适用于负载开关电源的特性,为各种电子系统提供了可靠的解决方案。在需要P沟道MOS管的中功率应用场景下,此产品是一个值得考虑的选择。



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