中压MOS管SL12N10

产品名称：MOS管SL12N10

生产商：萨科微Slkor

产品类型：N沟道

电性能参数：

漏源电压（Vdss）： 100V

连续漏极电流（Id）： 12A

导通电阻（RDS(on)@Vgs, Id）： 130mΩ @ 10V, 10A

阈值电压（Vgs(th)@Id）： 2V @ 250uA

封装规格：

封装类型： TO-252

产品特性与应用：

MOS管SL12N10是一款N沟道MOS场效应管，由萨科微Slkor公司生产。其优越的电性能参数和TO-252封装设计使其适用于多种高电压高电流的电子应用。

主要特性：

高电压承受能力： 漏源电压（Vdss）为100V，适用于对电压要求较高的电路设计。

高电流承受能力： 连续漏极电流（Id）可达12A，适用于高功率应用场景。

相对低的导通电阻： 在10V电压和10A电流下，导通电阻为130mΩ，有助于降低功耗和提高效率。

相对低的阈值电压： 阈值电压（Vgs(th)@Id）为2V @ 250uA，有助于确保精确的电路控制。

封装优势：

TO-252封装提供了*的散热性能和较小的尺寸，适用于一些对尺寸和散热有要求的高功率电路设计。

应用领域：

MOS管SL12N10广泛应用于多种高电压高电流的电子应用，包括但不限于：

电源开关： 适用于高功率电源开关电路。

电机驱动： 在高功率电机控制电路中，可实现有效的电流控制。

电源逆变器： 用于太阳能逆变器和其他功率逆变应用。

安全与可靠性：

MOS管SL12N10经过严格的质量控制和测试，确保在各种工作条件下稳定可靠。请按照产品规格书和应用注意事项正确使用。

总结：

MOS管SL12N10以其优越的电性能和适用于高电压高电流应用的TO-252封装设计，为高性能电子系统提供了*的解决方案。在需要高电压和高电流承受能力的场景下，SL12N10是一个可靠的选择。