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产品名称：
中压MOS管SL05N10A
产品类型：
N沟道MOS管
产品特点：
- 高漏源电压：100V
- 连续漏极电流：5A
- 小型封装：SOT-23，适合在空间受限的电路板上使用
- 高阻值比：导通电阻仅为180mΩ，可降低功耗和热损失
- 高阈值电压：3V@250uA，保证在控制电路中的可靠性
- 宽工作温度范围：-55℃~+150℃@(Tj)
性能参数：
封装规格：
- 封装形式：SOT-23
- 引脚数：3
- 尺寸：2.9mm x 1.3mm x 1.1mm
适用场合：
- 适用于低压和中压开关电路中的开关、驱动和保护应用，如电源管理、电机驱动、LED驱动器、电池充放电保护等。
注意事项：
- 使用时请按照电路设计指南进行使用，以免超过最大额定值而损坏器件。
- 器件在使用时会发热，请保持散热 .。
- 请妥善存储和运输，避免器件受到静电、潮湿和机械损坏等不良环境影响。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL05N10A SOT-23.pdf | SL05N10A SOT-23 | - |
| Proposition-65-Compliance-Report_1.pdf | Proposition-65-Compliance-Report_1 | - |
| Proposition-65-Compliance-Report_2.pdf | Proposition-65-Compliance-Report_2 | - |
| REACH.pdf | REACH | - |
| RoHS-1.pdf | RoHS-1 | - |
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SL9968是一款中压MOS管，采用N沟道结构，为多种中压开关和功率控制应用提供可靠的解决方案。凭借其 .的性能和稳定性，SL9968成为工业自动化、电源管理和中压开关设备等领域的优选选择。
SL50N06D 是一款N沟道MOS场效应晶体管，广泛应用于各种电子设备和电路中。其高漏源电压、连续漏极电流以及TO-252封装使其在高性能应用中表现 .。
该N沟道MOSFET具有100V漏源电压和47A的连续漏极电流，导通电阻仅为8mΩ，阈值电压为2.4V，适合高效功率开关应用。其DFN5x6-8封装提供优异的散热性能，支持紧凑设计，广泛应用于电源管理和大电流控制电路。
萨科微slkor中压MOS管2N7002E是一款N沟道场效应管，具有漏源电压高达60V，连续漏极电流可达300mA的特点，适用于中压应用场合。其导通电阻仅为3Ω，功率仅为225mW，能够在低功耗的情况下工作。该产品封装为SOT-23，体积小巧，易于安装。
萨科微slkor中压MOS管2N7002是一种N沟道功率MOSFET器件。它具有漏源电压高达60V和连续漏极电流115mA的特性，可用于许多应用场合，如低电流驱动应用、DC-DC转换器、电源管理和电池管理等。
SL80N10是一款中压N沟道MOS管，具有漏源电压100V，连续漏极电流80A的特点，可用于高功率DC-DC转换器、电机驱动器和电源开关等应用场合。该产品导通电阻低、输入电容小、反向传输电容小，具有 .的开关性能和瞬态特性。SL80N10采用TO-220封装，适用于高功率应用。
中压MOS管BSS138适用于中压应用中的开关电路、功率驱动电路等场合。它还可以应用于低电压、小功率电路中的电压转换、电源管理、音频放大器等方面。
BSS123中压MOS管适用于各种应用，例如DC-DC转换器、电机控制、照明和消费类电子产品。 具有低漏电流和高电流驱动能力的特点，可提高开关速度和系统效率。
