中压MOS管SL11P06DN1

中压MOS管SL11P06DN1

中压MOS管SL11P06DN1是一款中压P沟道MOS管,漏源电压:60V,连续漏极电流:11A,功率:15.3W,导通电阻:175mΩ,阈值电压:2.5V,封装:TO-252

萨科微slkor中压MOS管SL11P06DN1是一款中压P沟道MOS管,可用于60V应用中,可提供高效的性能。其阈值电压为2.5V,适用于5V或12V的驱动电路。SL11P06DN1采用TO-252封装,具有较低的热阻,可实现更高的功率密度。

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产品名称:萨科微slkor中压MOS管SL11P06DN1


主要特点:

- P沟道类型

- 漏源电压(Vdss):60V

- 连续漏极电流(Id):11A

- 功率(Pd):15.3W

- 导通电阻(RDS(on)):175mΩ@10V, 3A

- 阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250μA

- 封装:TO-252

- 适用于中压应用


产品描述:

萨科微slkor中压MOS管SL11P06DN1是一款中压P沟道MOS管,可用于60V应用中。它具有较低的导通电阻和高的连续漏极电流,可提供高效的性能。其阈值电压为2.5V,适用于5V或12V的驱动电路。SL11P06DN1采用TO-252封装,具有较低的热阻,可实现更高的功率密度。该产品可广泛应用于中压应用,例如DC-DC变换器、电源管理和电机控制等领域。

应用领域:

  • 电源管理:用于开关电源和电源转换器。

  • 电机驱动:适用于电机控制器和驱动系统。

  • 通信设备:在通信基站和网络设备中用于信号放大和处理。

  • 工业控制:用于自动化控制系统和机器人技术。


注意事项:

  • 在设计电路时,应仔细考虑MOSFET的最大额定电压和电流,避免超出规格。

  • 确保使用适当的散热措施,以防止器件过热。

  • 在开关应用中,注意选择合适的驱动电路以保证快速且准确的开关动作。

  • 在安装和操作过程中,遵循制造商提供的指导和建议。


关于萨科微 Slkor:
萨科微 Slkor是一家致力于提供高品质、高性能半导体器件的制造商,拥有先进的技术和严格的质量控制体系,为客户的设计提供最佳的解决方案和支持。


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