中压MOS管SL11P06DN1

中压MOS管SL11P06DN1

60V|11A|175mΩ@10V,3A|2.5V@250μA|P沟道|TO-252|中压MOS管|产品展示|-,-,-,-,-,-|Product display|

萨科微slkor中压MOS管SL11P06DN1是一款中压P沟道MOS管,可用于60V应用中。它具有较低的导通电阻和高的连续漏极电流,可提供高效的性能。其阈值电压为2.5V,适用于5V或12V的驱动电路。SL11P06DN1采用TO-252封装,具有较低的热阻,可实现更高的功率密度。该产品可广泛应用于中压应用,例如DC-DC变换器、电源管理和电机控制等领域。

下载数据手册 在线咨询

产品名称:萨科微slkor中压MOS管SL11P06DN1


主要特点:

- P沟道类型

- 漏源电压(Vdss):60V

- 连续漏极电流(Id):11A

- 功率(Pd):15.3W

- 导通电阻(RDS(on)):175mΩ@10V, 3A

- 阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250μA

- 封装:TO-252

- 适用于中压应用


产品描述:

萨科微slkor中压MOS管SL11P06DN1是一款中压P沟道MOS管,可用于60V应用中。它具有较低的导通电阻和高的连续漏极电流,可提供高效的性能。其阈值电压为2.5V,适用于5V或12V的驱动电路。SL11P06DN1采用TO-252封装,具有较低的热阻,可实现更高的功率密度。该产品可广泛应用于中压应用,例如DC-DC变换器、电源管理和电机控制等领域。

应用领域:

  • 电源管理:用于开关电源和电源转换器。

  • 电机驱动:适用于电机控制器和驱动系统。

  • 通信设备:在通信基站和网络设备中用于信号放大和处理。

  • 工业控制:用于自动化控制系统和机器人技术。


注意事项:

  • 在设计电路时,应仔细考虑MOSFET的最大额定电压和电流,避免超出规格。

  • 确保使用适当的散热措施,以防止器件过热。

  • 在开关应用中,注意选择合适的驱动电路以保证快速且准确的开关动作。

  • 在安装和操作过程中,遵循制造商提供的指导和建议。


关于萨科微 Slkor:
萨科微 Slkor是一家致力于提供高品质、高性能半导体器件的制造商,拥有先进的技术和严格的质量控制体系,为客户的设计提供最佳的解决方案和支持。

SL11P06DN1_0.jpg

支持

如果您需要设计/技术支持,请告知我们并填写 应答表 我们会尽快回复您。


Longevity

The Longevity Program is aimed to provide our customers information from time to time about the expected time that our products can be ordered. The NLP is reviewed and updated regularly by our executive Management Team. View our longevity program here.

相关产品

中压MOS管SL11P06DN1

中压MOS管IRFR5305

类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-60V 连续漏极电流(Id):-30A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@-10V,-15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.8V@-250μA

中压MOS管SL11P06DN1

中压MOS管IRF9540

类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-100V 连续漏极电流(Id):-20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):78mΩ@-10V,-10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.7V@-250uA 封装:TO-220

中压MOS管SL11P06DN1

中压MOS管IRF7341

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 封装:SOP-8

中压MOS管SL11P06DN1

中压MOS管IRF640

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,11A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA

中压MOS管SL11P06DN1

中压MOS管IRF540NS

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):33A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.0V@250uA 封装:TO-263

中压MOS管SL11P06DN1

中压MOS管BSS169

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):234mΩ@10V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA 封装:SOT-23

中压MOS管SL11P06DN1

中压MOS管BSS138

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id):220mA 功率(Pd):225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5Ω@10V,220mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@1mA

中压MOS管SL11P06DN1

中压MOS管BSS131

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):240V 连续漏极电流(Id):0.1A 功率(Pd):0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.07Ω@4.5V,0.09A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@56μA

服务热线

0755-83044319

北斗/GPS天线咨询

板端座子咨询

连接器咨询

获取产品资料