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MOS场效应管
中压MOS管
类型: N沟道
漏源电压(Vdss): 100V
连续漏极电流(Id) -
功率(Pd): 89W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 14mΩ@10V,20A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs): 75nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds): 4.708nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds): 247pF@15V
工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)
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