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三极管2SD1898-R 三极管2SD1898-R 三极管2SD1898-R
三极管2SD1898-R

晶体管类型-

集射极击穿电压(Vceo):80V

集电极电流(Ic):1A

功率(Pd):2W

集电极截止电流(Icbo):1μA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@500mA,50mA

直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@500mA,3V

特征频率(fT):100MHz

工作温度:+150℃@(Tj)

产品详情

产品概述:

2SD1898-R是由萨科微(Slkor)生产的NPN型三极管,具有多种应用领域。采用特殊封装,适用于表面贴装应用,提供高性能和稳定性。


关键特性:

晶体管类型: NPN - 面向负正负型晶体管的NPN型设计。

集射极击穿电压(Vceo): 80V - 提供适度的集射极击穿电压。

集电极电流(Ic): 1A - 具有较高的集电极电流能力。

功率(Pd): 2W - 适用于中功耗电子设备。

集电极截止电流(Icbo): 1μA - 低截止电流,有助于降低功耗。

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 150mV @ 500mA, 50mA - 低饱和电压设计。

直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 180 @ 500mA, 3V - 具有高直流电流增益。

特征频率(fT): 100MHz - 适用于高频应用。

工作温度: +150℃ @ (Tj) - 适用于广泛的工作温度范围。

应用领域:

放大器和放大电路

电源管理系统

电子开关

通信设备

LED 驱动器

性能优势:

适度的集电极电流能力: 1A的集电极电流,适用于多种应用场景。

适度的集射极击穿电压: 80V的击穿电压,适用于中压应用。

适度的功率: 2W的功率,适用于中功耗电子设备。

低截止电流: 1μA的截止电流,有助于降低功耗。

低饱和电压设计: 150mV的饱和电压,有助于降低功耗。

安装与使用:

2SD1898-R采用特殊封装,适用于表面贴装应用。详细的安装和使用说明可参考产品手册,确保[敏感词]性能和稳定性。


注意事项:

在使用2SD1898-R时,请根据产品手册提供的电气特性和[敏感词][敏感词]额定值来选择合适的工作条件,并确保正确连接和使用。


为了获取更多技术支持和产品信息,请联系萨科微(Slkor)客户服务团队。

2SD1898-R SOT-89_0.jpg

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