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三极管2SD965A-R 三极管2SD965A-R 三极管2SD965A-R
三极管2SD965A-R

晶体管类型:NPN

集射极击穿电压(Vceo):30V

集电极电流(Ic):5A

功率(Pd):750mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@3A,100mA

直流电流增益(hFE@Ic,Vce):340@500mA,2V

特征频率(fT):150MHz

工作温度:+150℃@(Tj)

产品详情

产品概述:

2SD965A-R是由萨科微(Slkor)生产的NPN型三极管,适用于多种应用场景。采用特殊封装,适用于表面贴装应用,具有高性能和稳定性。


关键特性:

晶体管类型: NPN - 面向负正负型晶体管的NPN型设计。

集射极击穿电压(Vceo): 30V - 提供适度的集射极击穿电压。

集电极电流(Ic): 5A - 具有较高的集电极电流能力。

功率(Pd): 750mW - 适用于中功耗电子设备。

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 1V @ 3A, 100mA - 低饱和电压设计。

直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 340 @ 500mA, 2V - 具有高直流电流增益。

特征频率(fT): 150MHz - 适用于高频应用。

工作温度: +150℃ @ (Tj) - 适用于广泛的工作温度范围。

应用领域:

放大器和放大电路

电源管理系统

电子开关

通信设备

LED 驱动器

性能优势:

适度的集电极电流能力: 5A的集电极电流,适用于多种高电流应用。

适度的击穿电压: 30V的击穿电压,适用于低到中压应用。

适度的功率: 750mW的功率,适用于中功耗电子设备。

低饱和电压设计: 1V的饱和电压,有助于降低功耗。

高直流电流增益: 340的直流电流增益,提供增强的信号放大。

高特征频率: 150MHz的特征频率,适用于高频应用。

安装与使用:

2SD965A-R采用特殊封装,适用于表面贴装应用。详细的安装和使用说明可参考产品手册,确保[敏感词]性能和稳定性。


注意事项:

在使用2SD965A-R时,请根据产品手册提供的电气特性和[敏感词][敏感词]额定值来选择合适的工作条件,并确保正确连接和使用。


为了获取更多技术支持和产品信息,请联系萨科微(Slkor)客户服务团队。

2SD965A-R SOT-89_0.jpg

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