晶体管类型:NPN

集射极击穿电压(Vceo):30V

集电极电流(Ic):5A

功率(Pd):750mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@3A,100mA

直流电流增益(hFE@Ic,Vce):340@500mA,2V

特征频率(fT):150MHz

工作温度:+150℃@(Tj)