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三极管2SD965A-R 三极管2SD965A-R 三极管2SD965A-R
三极管2SD965A-R

晶体管类型:NPN

集射极击穿电压(Vceo):30V

集电极电流(Ic):5A

功率(Pd):750mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@3A,100mA

直流电流增益(hFE@Ic,Vce):340@500mA,2V

特征频率(fT):150MHz

工作温度:+150℃@(Tj)

产品详情

产品概述:

2SD965A-R是由萨科微(Slkor)生产的NPN型三极管,适用于多种应用场景。采用特殊封装,适用于表面贴装应用,具有高性能和稳定性。


关键特性:

晶体管类型: NPN - 面向负正负型晶体管的NPN型设计。

集射极击穿电压(Vceo): 30V - 提供适度的集射极击穿电压。

集电极电流(Ic): 5A - 具有较高的集电极电流能力。

功率(Pd): 750mW - 适用于中功耗电子设备。

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 1V @ 3A, 100mA - 低饱和电压设计。

直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 340 @ 500mA, 2V - 具有高直流电流增益。

特征频率(fT): 150MHz - 适用于高频应用。

工作温度: +150℃ @ (Tj) - 适用于广泛的工作温度范围。

应用领域:

放大器和放大电路

电源管理系统

电子开关

通信设备

LED 驱动器

性能优势:

适度的集电极电流能力: 5A的集电极电流,适用于多种高电流应用。

适度的击穿电压: 30V的击穿电压,适用于低到中压应用。

适度的功率: 750mW的功率,适用于中功耗电子设备。

低饱和电压设计: 1V的饱和电压,有助于降低功耗。

高直流电流增益: 340的直流电流增益,提供增强的信号放大。

高特征频率: 150MHz的特征频率,适用于高频应用。

安装与使用:

2SD965A-R采用特殊封装,适用于表面贴装应用。详细的安装和使用说明可参考产品手册,确保最佳性能和稳定性。


注意事项:

在使用2SD965A-R时,请根据产品手册提供的电气特性和绝对最大额定值来选择合适的工作条件,并确保正确连接和使用。


为了获取更多技术支持和产品信息,请联系萨科微(Slkor)客户服务团队。

2SD965A-R SOT-89_0.jpg

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