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产品概述：
slkor萨科微BC856BW是一款高性能PNP型晶体管，适用于低功率应用和高频电路。该晶体管具有稳定的性能和可靠性，广泛应用于多种电子设备中。
主要特性：
晶体管类型：PNP
集射极击穿电压(Vceo)：-65V，具有较高的电压容量。
集电极电流(Ic)：-15nA，适用于低功率应用。
功率(Pd)：150mW，能够耗散较高的功率。
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.65V @ -100mA, -5mA，具有低饱和电压特性。
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：220 @ -2mA, -5V，具有较高的直流电流放大倍数。
特征频率(fT)：100MHz，适用于高频电路。
工作温度：最高可达+150℃(Tj)，适用于高温环境。
应用领域：
低功率电子设备和电路
高频放大器和振荡器
信号放大和开关控制电路
通信设备和无线电频段应用
产品优势：
高电压容量，适应多种应用需求。
低饱和电压，能够实现快速开关操作。
高直流电流增益，有利于信号放大和控制。
特征频率高，适用于高频电路设计。
工作温度范围广，适应不同环境需求。
注意事项：
在使用BC856BW时，请确保不超过指定的最大集射极击穿电压。
注意控制集电极电流和基极电流，以确保在安全工作范围内。
在设计电路时，考虑散热和功率耗散，以确保晶体管正常工作。
为了获取更多技术支持和产品信息，请联系萨科微（Slkor）客户服务团队。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| BC856BW SOT-323.pdf | BC856BW SOT-323 | - |
支持
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Longevity
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晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -20V 集电极电流(Ic): -5A 功率(Pd): 0.5W 集电极截止电流(Icbo): 0.5uA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 0.35V@-4A, 0.1A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.5A, -2V 特征频率(fT): 60MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-60V 集电极电流(Ic)：-3A 功率(PC)：10W 集电极截止电流(Icbo)：-10μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.3V@-1.5A,-0.15A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：60@-0.2A,-2V 特征频率(fT)：- 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：TO-252
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -80V 集电极电流(Ic): -1A 功率(Pd): 0.5W 集电极截止电流(Icbo): -1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.4V@-500mA, -50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.1A, -3V 特征频率(fT): 20MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：32V 集电极电流(Ic)：800mA 功率(PT)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：0.5μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：0.4V@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：390@100mA,3V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-23
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -32V 集电极电流(Ic): -2A 功率(Pd): 0.5W 集电极截止电流(Icbo): -1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.5V@-2A, -0.2A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.5A, -3V 特征频率(fT): 100MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-50V 集电极电流(Ic)：-100mA 功率(PD)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：-0.1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.3V@-100mA,-10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@-1mA,-6V 特征频率(fT)：180MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-23
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-50V 集电极电流(Ic)：-2A 功率(PC)：500mW 集电极截止电流(Icbo)：-100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.35V@-1A,-50mA 直流电流增益max(hFE@Ic,Vce)：270@-500mA,-2V 特征频率(fT)：200MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-89
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -120V 集电极电流(Ic): -800mA 功率(Pd): 500mW 集电极截止电流(Icbo): -100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -1V@-500mA, -50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 240 @ -100mA, -5V 特征频率(fT): 120MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
