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产品概述:
MMDT2222A是由萨科微（Slkor）生产的NPN型三极管，是一款常用的通用型半导体器件，适用于各种低功率放大和开关应用。
主要技术规格:
晶体管类型: NPN
集射极击穿电压(Vceo): 40V
集电极电流(Ic): 600mA
功率(PC): 200mW
集电极截止电流(Icbo): 100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 0.3V @ 150mA, 15mA
直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 35 @ 0.1mA, 10V
特征频率(fT): 300MHz
工作温度: -55℃ 到 +150℃ (Tj)
封装信息:SOT-363
主要特性和优势:
适中集射极击穿电压(Vceo): 40V的集射极击穿电压，适用于一般低压电路设计。
适中集电极电流(Ic): 600mA的集电极电流，适用于低功率应用场景。
适中功率(PC): 200mW的功率，提供适度的功率处理能力。
低集电极截止电流(Icbo): 100nA的截止电流，有助于降低功耗。
低集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 0.3V @ 150mA, 15mA，具有低压降，提高效率。
适中直流电流增益(hFE): 35 @ 0.1mA, 10V，提供增益的精确控制。
高特征频率(fT): 300MHz的特征频率，适用于一些中频应用。
应用领域:
MMDT2222A三极管广泛应用于低功率放大器、开关电源、数字逻辑、射频放大器等电子设备和电路。
注意事项:
在使用MMDT2222A三极管时，请仔细阅读生产商提供的规格书和建议，以确保最佳性能和可靠性。
以上信息可能会因制造商更新而有所改变，建议在购买前查阅最新的规格书。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| MMDT2222A SOT-363.pdf | MMDT2222A SOT-363 | - |
支持
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Longevity
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晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -20V 集电极电流(Ic): -5A 功率(Pd): 0.5W 集电极截止电流(Icbo): 0.5uA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 0.35V@-4A, 0.1A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.5A, -2V 特征频率(fT): 60MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-60V 集电极电流(Ic)：-3A 功率(PC)：10W 集电极截止电流(Icbo)：-10μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.3V@-1.5A,-0.15A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：60@-0.2A,-2V 特征频率(fT)：- 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：TO-252
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -80V 集电极电流(Ic): -1A 功率(Pd): 0.5W 集电极截止电流(Icbo): -1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.4V@-500mA, -50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.1A, -3V 特征频率(fT): 20MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：32V 集电极电流(Ic)：800mA 功率(PT)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：0.5μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：0.4V@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：390@100mA,3V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-23
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -32V 集电极电流(Ic): -2A 功率(Pd): 0.5W 集电极截止电流(Icbo): -1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.5V@-2A, -0.2A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.5A, -3V 特征频率(fT): 100MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-50V 集电极电流(Ic)：-100mA 功率(PD)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：-0.1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.3V@-100mA,-10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@-1mA,-6V 特征频率(fT)：180MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-23
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-50V 集电极电流(Ic)：-2A 功率(PC)：500mW 集电极截止电流(Icbo)：-100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.35V@-1A,-50mA 直流电流增益max(hFE@Ic,Vce)：270@-500mA,-2V 特征频率(fT)：200MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-89
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -120V 集电极电流(Ic): -800mA 功率(Pd): 500mW 集电极截止电流(Icbo): -100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -1V@-500mA, -50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 240 @ -100mA, -5V 特征频率(fT): 120MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
