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三极管S8050T
制造商: 萨科微Slkor
产品概述:
slkor萨科微三极管S8050T是一款NPN型三极管，由萨科微Slkor制造，旨在为电子设计师和工程师提供可靠的性能和多功能性。其稳定的特性使其适用于各种电路应用，从音频放大到信号处理。
主要特性:
集射极击穿电压(Vceo): 25V
集电极电流(Ic): 0.5A
功率(PC): 0.2W
集电极截止电流(Icbo): 0.1μA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 0.6V @ 500mA, 50mA
直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 120 @ 50mA, 1V
特征频率(fT): 150MHz
工作温度范围: -55℃ ~ +150℃ @ (Tj)
封装: SOT-523
应用领域:
音频放大器: S8050T提供可靠的放大特性，适用于音频放大器和音频处理应用。
信号处理: 在信号处理电路中，S8050T的高频特性和低饱和电压使其成为理想的选择。
控制电路: 由于其高度可靠和稳定的性能，S8050T可用于各种控制电路和开关应用。
优势:
稳定可靠: 萨科微Slkor作为制造商，保证产品的稳定性和可靠性。
多功能性: S8050T适用于多种应用场景，从音频到控制电路。
高频特性: 特征频率达到150MHz，适用于高频信号处理需求。
温度范围广: S8050T在-55℃到+150℃的温度范围内工作，适用于各种环境。
封装信息:
封装类型: SOT-523
尺寸: 小巧的SOT-523封装，适合紧凑的电路设计。
注意事项:
请根据制造商提供的规格书使用本产品。
在设计电路时，请确保考虑到工作温度范围和电流要求。
S8050T三极管是一款性能稳定可靠的组件，旨在为您的电子设计提供灵活的解决方案。无论是音频放大器还是控制电路，它都能够胜任。立即使用S8050T，让您的设计更加*！
关于萨科微Slkor:
萨科微Slkor是一家致力于半导体器件制造的公司，专注于为客户提供高品质、可靠性强的产品。公司拥有先进的生产工艺和严格的质量控制体系，致力于为客户提供最优秀的解决方案。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| S8050T SOT-523.pdf | S8050T SOT-523 | - |
支持
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Longevity
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晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -20V 集电极电流(Ic): -5A 功率(Pd): 0.5W 集电极截止电流(Icbo): 0.5uA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 0.35V@-4A, 0.1A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.5A, -2V 特征频率(fT): 60MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-60V 集电极电流(Ic)：-3A 功率(PC)：10W 集电极截止电流(Icbo)：-10μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.3V@-1.5A,-0.15A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：60@-0.2A,-2V 特征频率(fT)：- 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：TO-252
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -80V 集电极电流(Ic): -1A 功率(Pd): 0.5W 集电极截止电流(Icbo): -1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.4V@-500mA, -50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.1A, -3V 特征频率(fT): 20MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：32V 集电极电流(Ic)：800mA 功率(PT)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：0.5μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：0.4V@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：390@100mA,3V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-23
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -32V 集电极电流(Ic): -2A 功率(Pd): 0.5W 集电极截止电流(Icbo): -1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.5V@-2A, -0.2A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.5A, -3V 特征频率(fT): 100MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-50V 集电极电流(Ic)：-100mA 功率(PD)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：-0.1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.3V@-100mA,-10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@-1mA,-6V 特征频率(fT)：180MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-23
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-50V 集电极电流(Ic)：-2A 功率(PC)：500mW 集电极截止电流(Icbo)：-100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.35V@-1A,-50mA 直流电流增益max(hFE@Ic,Vce)：270@-500mA,-2V 特征频率(fT)：200MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-89
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -120V 集电极电流(Ic): -800mA 功率(Pd): 500mW 集电极截止电流(Icbo): -100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -1V@-500mA, -50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 240 @ -100mA, -5V 特征频率(fT): 120MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
