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三极管SL44H11
制造商: 萨科微Slkor
产品概述:
slkor萨科微SL44H11是一款高性能NPN型三极管，由萨科微Slkor生产制造。它具有高电流和高功率处理能力，适用于要求稳定性能的功率放大和开关电路设计。
主要特性:
集射极击穿电压(Vceo): 80V
集电极电流(Ic): 10A
功率(PC): 50W
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 1V @ 8A, 0.4A
直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 60 @ 2A, 1V
特征频率(fT): 50MHz
工作温度范围: -55℃ ~ +150℃ @ (Tj)
封装: TO-220-3L
应用领域:
功率放大器: SL44H11适用于高功率放大器设计，提供可靠的功率传输和放大。
开关电路: 在高电流和高电压的开关电路中，SL44H11的特性使其成为理想的选择。
驱动电路: 由于其高频特性和稳定性能，可用于各种驱动电路。
优势:
高电流和功率: 10A的集电极电流和50W的功率处理能力，适应各种高功率需求。
低饱和电压: 1V的饱和电压，降低了功率损耗，提高了效率。
稳定可靠: SL44H11在广泛的工作温度范围内工作，具有高可靠性和稳定性。
适用性广: 适用于功率放大、开关和驱动电路等多种应用场景。
封装信息:
封装类型: TO-220-3L
尺寸: 标准TO-220-3L封装，易于安装和散热。
注意事项:
请根据制造商提供的规格书使用本产品。
在设计电路时，请考虑工作温度范围和功率需求。
SL44H11三极管是一款高性能且稳定可靠的组件，适用于各种功率处理和控制电路设计。无论是功率放大器还是开关电路，它都能够满足您的需求。
关于萨科微Slkor:
萨科微Slkor是一家专业的半导体器件制造商，致力于为客户提供高品质、高性能的产品和解决方案。公司拥有先进的生产工艺和严格的质量管理体系，为客户的设计和应用提供可靠支持。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL44H11 TO-220-3L.pdf | - |
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Longevity
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晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -20V 集电极电流(Ic): -5A 功率(Pd): 0.5W 集电极截止电流(Icbo): 0.5uA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 0.35V@-4A, 0.1A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.5A, -2V 特征频率(fT): 60MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-60V 集电极电流(Ic)：-3A 功率(PC)：10W 集电极截止电流(Icbo)：-10μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.3V@-1.5A,-0.15A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：60@-0.2A,-2V 特征频率(fT)：- 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：TO-252
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -80V 集电极电流(Ic): -1A 功率(Pd): 0.5W 集电极截止电流(Icbo): -1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.4V@-500mA, -50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.1A, -3V 特征频率(fT): 20MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：32V 集电极电流(Ic)：800mA 功率(PT)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：0.5μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：0.4V@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：390@100mA,3V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-23
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -32V 集电极电流(Ic): -2A 功率(Pd): 0.5W 集电极截止电流(Icbo): -1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.5V@-2A, -0.2A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.5A, -3V 特征频率(fT): 100MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-50V 集电极电流(Ic)：-100mA 功率(PD)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：-0.1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.3V@-100mA,-10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@-1mA,-6V 特征频率(fT)：180MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-23
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-50V 集电极电流(Ic)：-2A 功率(PC)：500mW 集电极截止电流(Icbo)：-100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.35V@-1A,-50mA 直流电流增益max(hFE@Ic,Vce)：270@-500mA,-2V 特征频率(fT)：200MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-89
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -120V 集电极电流(Ic): -800mA 功率(Pd): 500mW 集电极截止电流(Icbo): -100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -1V@-500mA, -50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 240 @ -100mA, -5V 特征频率(fT): 120MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
