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产品概述:
slkor萨科微SS8550W是一款高性能PNP型三极管，具有优异的放大、开关和调节功能。它采用先进的半导体技术和精密制造工艺，以确保其稳定性和可靠性。其适用于各种电子设备和电路中的低功率放大器、开关电路控制、电源管理系统和音频放大器等应用领域。
主要特性:
晶体管类型: PNP
集射极击穿电压(Vceo): -25V
集电极电流(Ic): -1.5A
功率(Pd): 200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.5V @ -800mA, -80mA
直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 120 @ -100mA, -1V
特征频率(fT): 100MHz
工作温度: 最高可达+150℃@(Tj)
应用领域:
低功率放大器
开关电路控制
电源管理系统
音频放大器
产品优势:
高性能：SS8550W具有较高的集电极电流能力和工作频率，可以满足多种应用需求。
可靠性：该三极管采用优质材料和制造工艺，确保了其稳定性和长寿命。
低饱和电压：SS8550W的集电极-发射极饱和电压较低，有助于减少功耗和提高效率。
注意事项:
在使用SS8550W时，请确保工作温度不超过+150℃，以避免损坏设备。
请根据应用需求选择适当的电流和电压参数。
使用前请仔细阅读产品规格书和安装指南。
关于萨科微 Slkor：
萨科微 Slkor是一家致力于提供高品质、高性能半导体器件的制造商，拥有先进的技术和严格的质量控制体系，为客户的设计提供最佳的解决方案和支持。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SS8550W SOT-323.pdf | - |
支持
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Longevity
The Longevity Program is aimed to provide our customers information from time to time about the expected time that our products can be ordered. The NLP is reviewed and updated regularly by our executive Management Team. View our longevity program here.
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -20V 集电极电流(Ic): -5A 功率(Pd): 0.5W 集电极截止电流(Icbo): 0.5uA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 0.35V@-4A, 0.1A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.5A, -2V 特征频率(fT): 60MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-60V 集电极电流(Ic)：-3A 功率(PC)：10W 集电极截止电流(Icbo)：-10μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.3V@-1.5A,-0.15A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：60@-0.2A,-2V 特征频率(fT)：- 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：TO-252
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -80V 集电极电流(Ic): -1A 功率(Pd): 0.5W 集电极截止电流(Icbo): -1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.4V@-500mA, -50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.1A, -3V 特征频率(fT): 20MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：32V 集电极电流(Ic)：800mA 功率(PT)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：0.5μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：0.4V@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：390@100mA,3V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-23
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -32V 集电极电流(Ic): -2A 功率(Pd): 0.5W 集电极截止电流(Icbo): -1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.5V@-2A, -0.2A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.5A, -3V 特征频率(fT): 100MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-50V 集电极电流(Ic)：-100mA 功率(PD)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：-0.1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.3V@-100mA,-10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@-1mA,-6V 特征频率(fT)：180MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-23
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-50V 集电极电流(Ic)：-2A 功率(PC)：500mW 集电极截止电流(Icbo)：-100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.35V@-1A,-50mA 直流电流增益max(hFE@Ic,Vce)：270@-500mA,-2V 特征频率(fT)：200MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-89
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -120V 集电极电流(Ic): -800mA 功率(Pd): 500mW 集电极截止电流(Icbo): -100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -1V@-500mA, -50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 240 @ -100mA, -5V 特征频率(fT): 120MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
