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产品概述：
BC817-25W是由萨科微（Slkor）生产的NPN型三极管，具有广泛的应用范围。它采用SOT-323封装，适用于各种电子设备和电路应用。
关键特性：
晶体管类型： NPN - 面向负正负型晶体管的NPN型设计。
集射极击穿电压（Vceo）： 45V - 提供较高的集射极击穿电压。
集电极电流（Ic）： 500mA - 具有适度的集电极电流能力。
功率（Pd）： 200mW - 适用于低功耗电子设备。
集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)@Ic,Ib）： 700mV @ 500mA, 50mA - 低饱和电压设计。
直流电流增益（hFE@Ic,Vce）： 160 @ 100mA, 1V - 具有高直流电流增益。
特征频率（fT）： 100MHz - 适用于高频应用。
工作温度： +150℃ @ (Tj) - 适用于广泛的工作温度范围。
应用领域：
放大器和放大电路
信号处理电路
电源管理系统
电子开关
通信设备
性能优势：
适度的集电极电流能力： 500mA的集电极电流，适用于多种应用场景。
低饱和电压设计： 700mV的饱和电压，有助于降低功耗。
高直流电流增益： 160的直流电流增益，提供增强的信号放大。
高特征频率： 100MHz的特征频率，适用于高频应用。
广泛的工作温度范围： +150℃的工作温度，适用于多种环境条件。
安装与使用：
BC817-25W采用SOT-323表面贴装封装，适用于紧凑的空间。详细的安装和使用说明可参考产品手册，确保最佳性能和稳定性。
注意事项：
在使用BC817-25W时，请根据产品手册提供的电气特性和*最大额定值来选择合适的工作条件，并确保正确连接和使用。
为了获取更多技术支持和产品信息，请联系萨科微（Slkor）客户服务团队。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| BC817-25W SOT-323.pdf | BC817-25W SOT-323 | - |
支持
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Longevity
The Longevity Program is aimed to provide our customers information from time to time about the expected time that our products can be ordered. The NLP is reviewed and updated regularly by our executive Management Team. View our longevity program here.
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -20V 集电极电流(Ic): -5A 功率(Pd): 0.5W 集电极截止电流(Icbo): 0.5uA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 0.35V@-4A, 0.1A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.5A, -2V 特征频率(fT): 60MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-60V 集电极电流(Ic)：-3A 功率(PC)：10W 集电极截止电流(Icbo)：-10μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.3V@-1.5A,-0.15A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：60@-0.2A,-2V 特征频率(fT)：- 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：TO-252
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -80V 集电极电流(Ic): -1A 功率(Pd): 0.5W 集电极截止电流(Icbo): -1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.4V@-500mA, -50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.1A, -3V 特征频率(fT): 20MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：32V 集电极电流(Ic)：800mA 功率(PT)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：0.5μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：0.4V@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：390@100mA,3V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-23
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -32V 集电极电流(Ic): -2A 功率(Pd): 0.5W 集电极截止电流(Icbo): -1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.5V@-2A, -0.2A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.5A, -3V 特征频率(fT): 100MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-50V 集电极电流(Ic)：-100mA 功率(PD)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：-0.1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.3V@-100mA,-10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@-1mA,-6V 特征频率(fT)：180MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-23
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-50V 集电极电流(Ic)：-2A 功率(PC)：500mW 集电极截止电流(Icbo)：-100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.35V@-1A,-50mA 直流电流增益max(hFE@Ic,Vce)：270@-500mA,-2V 特征频率(fT)：200MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-89
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -120V 集电极电流(Ic): -800mA 功率(Pd): 500mW 集电极截止电流(Icbo): -100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -1V@-500mA, -50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 240 @ -100mA, -5V 特征频率(fT): 120MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
