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产品概述：
BC856B三极管是由萨科微Slkor生产的高性能NPN小信号开关和放大三极管。这款产品以其*的电气特性和可靠性而受到市场的认可，适用于多种电子应用，包括无线通信、音频放大器和信号处理等。
产品优势：
- 高增益：BC856B提供了高hFE值，使其在放大应用中表现*。
- *的频率响应：适合高频信号放大，具有较宽的工作频率范围。
- 低噪声：在低噪声放大器设计中是理想的选择。
- 稳定的性能：在各种工作条件下都能保持一致的性能。
产品特征：
晶体管类型:PNP
集射极击穿电压(Vceo):65V
集电极电流(Ic):100mA
功率(Pd):200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@100mA,5mA
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):220@2mA,5V
特征频率(fT):100MHz
工作温度:+150℃@(Tj)
应用领域：
- 无线通信设备：如手机、无线电和无线网络设备中的信号放大。
- 音频放大器：用于音频信号的放大和处理。
- 信号处理电路：在各种信号调节和控制应用中。
- 电源管理：在开关电源设计中作为控制元件。
注意事项：
- 在设计电路时，请确保不超过BC856B的最大额定值，以避免损坏器件。
- 考虑到热设计，确保足够的散热以维持器件的长期稳定运行。
- 在选择电路板布局时，应优化走线以减少寄生效应，提高电路性能。
- 建议在设计前仔细阅读BC856B的数据手册，以确保正确理解和应用其电气特性。
关于萨科微 Slkor：
萨科微 Slkor是一家致力于提供高品质、高性能半导体器件的制造商，拥有先进的技术和严格的质量控制体系，为客户的设计提供最佳的解决方案和支持。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| BC856B.pdf | BC856B | - |
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slkor萨科微BC856BW是一款高性能PNP型晶体管，适用于低功率应用和高频电路。该晶体管具有稳定的性能和可靠性，广泛应用于多种电子设备中。
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -20V 集电极电流(Ic): -5A 功率(Pd): 0.5W 集电极截止电流(Icbo): 0.5uA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 0.35V@-4A, 0.1A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.5A, -2V 特征频率(fT): 60MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-60V 集电极电流(Ic)：-3A 功率(PC)：10W 集电极截止电流(Icbo)：-10μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.3V@-1.5A,-0.15A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：60@-0.2A,-2V 特征频率(fT)：- 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：TO-252
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -80V 集电极电流(Ic): -1A 功率(Pd): 0.5W 集电极截止电流(Icbo): -1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.4V@-500mA, -50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.1A, -3V 特征频率(fT): 20MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：32V 集电极电流(Ic)：800mA 功率(PT)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：0.5μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：0.4V@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：390@100mA,3V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-23
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -32V 集电极电流(Ic): -2A 功率(Pd): 0.5W 集电极截止电流(Icbo): -1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.5V@-2A, -0.2A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.5A, -3V 特征频率(fT): 100MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-50V 集电极电流(Ic)：-100mA 功率(PD)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：-0.1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.3V@-100mA,-10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@-1mA,-6V 特征频率(fT)：180MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-23
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-50V 集电极电流(Ic)：-2A 功率(PC)：500mW 集电极截止电流(Icbo)：-100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.35V@-1A,-50mA 直流电流增益max(hFE@Ic,Vce)：270@-500mA,-2V 特征频率(fT)：200MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-89
