晶体管类型：PNP

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：1A

功率(Pd)：500mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@500mA,50mA

直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,2V

特征频率(fT)：125MHz

工作温度： -65℃~+150℃@(Tj)