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产品概述：
CZT5551是萨科微slkor生产的一款高性能的三极管，广泛应用于各种电子电路中，以其*的电气特性和可靠性而受到市场的青睐。
产品优势：
- 高功率增益：CZT5551提供了高功率增益，使其在放大电路中表现*。
- *的热稳定性：在高温环境下仍能保持稳定的性能。
- 低噪声特性：适合用于对噪声要求严格的应用场景。
产品特征：
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):160V
集电极电流(Ic):600mA
功率(Pd):1.5W
集电极截止电流(Icbo):50nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@50mA,5mA
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)-
特征频率(fT):100MHz
工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
应用领域：
- 电源管理：用于调节和控制电源电路中的电流和电压。
- 信号放大：在通信设备和音频放大器中放大信号。
- 电机驱动：控制电机的转速和方向。
注意事项：
- 在设计电路时，应确保三极管的工作条件符合其电气参数要求，避免超出其最大额定值。
- 应根据具体的应用需求选择合适的散热解决方案，以保证三极管的长期稳定运行。
- 在使用过程中，应注意静电放电(ESD)防护，避免损坏三极管。
关于萨科微 Slkor：
萨科微 Slkor是一家致力于提供高品质、高性能半导体器件的制造商，拥有先进的技术和严格的质量控制体系，为客户的设计提供最佳的解决方案和支持。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| CZT5551.pdf | - |
支持
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Longevity
The Longevity Program is aimed to provide our customers information from time to time about the expected time that our products can be ordered. The NLP is reviewed and updated regularly by our executive Management Team. View our longevity program here.
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -20V 集电极电流(Ic): -5A 功率(Pd): 0.5W 集电极截止电流(Icbo): 0.5uA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 0.35V@-4A, 0.1A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.5A, -2V 特征频率(fT): 60MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-60V 集电极电流(Ic)：-3A 功率(PC)：10W 集电极截止电流(Icbo)：-10μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.3V@-1.5A,-0.15A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：60@-0.2A,-2V 特征频率(fT)：- 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：TO-252
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -80V 集电极电流(Ic): -1A 功率(Pd): 0.5W 集电极截止电流(Icbo): -1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.4V@-500mA, -50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.1A, -3V 特征频率(fT): 20MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：32V 集电极电流(Ic)：800mA 功率(PT)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：0.5μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：0.4V@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：390@100mA,3V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-23
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -32V 集电极电流(Ic): -2A 功率(Pd): 0.5W 集电极截止电流(Icbo): -1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.5V@-2A, -0.2A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.5A, -3V 特征频率(fT): 100MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-50V 集电极电流(Ic)：-100mA 功率(PD)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：-0.1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.3V@-100mA,-10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@-1mA,-6V 特征频率(fT)：180MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-23
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-50V 集电极电流(Ic)：-2A 功率(PC)：500mW 集电极截止电流(Icbo)：-100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.35V@-1A,-50mA 直流电流增益max(hFE@Ic,Vce)：270@-500mA,-2V 特征频率(fT)：200MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-89
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): -120V 集电极电流(Ic): -800mA 功率(Pd): 500mW 集电极截止电流(Icbo): -100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -1V@-500mA, -50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 240 @ -100mA, -5V 特征频率(fT): 120MHz 工作温度范围: +150℃ (Tj) 封装: SOT-89
