晶体管类型: PNP

集射极击穿电压(Vceo): 150V

集电极电流(Ic): 500mA

功率(Pd): 225mW

集电极截止电流(Icbo): 50nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@50mA,10mA

直流电流增益(hFE@Ic,Vce):60@10mA,5V

特征频率(fT):100MHz

工作温度: +150℃@(Tj)