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三极管MMBTA55 三极管MMBTA55 三极管MMBTA55
三极管MMBTA55

集射极击穿电压(Vceo):-60V

集电极电流(Ic):-500mA

功率(Pd):225mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.25V@-100mA,-10mA

特征频率(fT):50MHz

产品详情

产品概述:

MMBTA55 是由萨科微(Slkor)生产的 PNP 型三极管,适用于多种应用场景。采用特殊封装,适用于表面贴装应用,具有高性能和稳定性。


关键特性:

晶体管类型: PNP - 面向正负正型晶体管的 PNP 型设计。

集射极击穿电压(Vceo): -60V - 提供适度的集射极击穿电压。

集电极电流(Ic): -500mA - 具有适度的集电极电流能力。

功率(Pd): 225mW - 适用于中功耗电子设备。

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.25V @ -100mA, -10mA - 低饱和电压设计。

特征频率(fT): 50MHz - 适用于一般频率应用。

应用领域:

放大器和放大电路

电源管理系统

电子开关

通信设备

LED 驱动器

性能优势:

适度的击穿电压: -60V 的击穿电压,适用于中到高压应用。

适度的集电极电流能力: -500mA 的集电极电流,适用于多种应用场景。

适度的功率: 225mW 的功率,适用于中功耗电子设备。

低饱和电压设计: -0.25V 的饱和电压,有助于降低功耗。

适度的特征频率: 50MHz 的特征频率,适用于一般频率应用。

安装与使用:

MMBTA55 采用特殊封装,适用于表面贴装应用。详细的安装和使用说明可参考产品手册,确保[敏感词]性能和稳定性。


注意事项:

在使用 MMBTA55 时,请根据产品手册提供的电气特性和[敏感词][敏感词]额定值来选择合适的工作条件,并确保正确连接和使用。


为了获取更多技术支持和产品信息,请联系萨科微(Slkor)客户服务团队。

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