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外延生长的基础与应用

在半导体和光电子产业的发展中，材料生长技术扮演了关键角色。无论是用于电脑芯片的晶体管，还是高亮度发光二极管（LED），这些现代电子设备都依赖于半导体材料的制备。而外延生长技术正是其中重要的一环，它帮助我们在晶体衬底上精确地构建新的材料层，提升了器件的性能和可靠性。无论是化学气相沉积（CVD）还是分子束外延（MBE），每一种技术都有其独特的应用场景。外延生长技术的未来充满了机遇，它将继续为新材料和新器件的开发提供支持，引领半导体行业的持续创新。 1|什么是外延生长？外延生长的概念最早由
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电子元器件的下一站是出海？

谢谢9位大佬从广州、深圳赶来东莞松山湖交流，同时也参加了阿里的电子元件出海培训，分享一下纪要： 1、中低端电子产业向东南亚等转移的趋势欧美→日本、韩国和中国台湾→中国大陆→东南亚等。最近5年，由于东南亚具备人口红利、劳动力成本、巨大的需求等优势，中低端的电子产业逐渐从中国大陆转移到越南等东南亚*。下面以越南为例。 1）厂房租金较低以下是越南海防市的厂房租金报价，大部分在3-4美元/平方米/月。 2）劳动力充沛且* 越南面积相当于云南省那么大，人口约980
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深圳有哪些芯片设计公司？

截至2022年底，深圳合计有587家IC企业，其中IC设计企业390家，晶圆制造企业7家，封测企业70家，设备企业79家，材料企业为41家，主要集中在南山和龙岗等。2022年深圳国产IC设计企业产值约724亿元，仅次于上海1350亿元、北京846亿元。图：IC设计行业产值城市排名，来自清华魏少军老师深圳主要的IC设计公司如下: 1、已上市芯片企业汇顶科技：主要产品为指纹传感器、光线传感器、健康传感器及其他传感器、触控产品、音频产品、安全产品等。预计2023年营业收入4
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MOS管的核心参数解析（导通电阻与栅极电荷）

功率管的最主要的应用是控制电流的通断，即在一定的电压条件下对流经器件的电流进行开关控制。首先，在可以承受的击穿电压的前提下（即器件的工作电压平台），器件导通电阻越低，其导通损耗就越低。其次，器件在开关状态间切换时，栅极电荷越小，器件的开关速度就越快，其动态损耗就越低。图：MOS管结构对于功率MOSFET来说，导通电阻与栅极电荷互为权衡（trade-off）关系，因为对于同一个器件结构来说，可以通过并联更多重复单元来降低导通电阻，但会导致栅极电荷相应地增加；反之减少器件并联的重复单元
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半导体设备有哪些卡脖子的核心零部件？

薄膜沉积是芯片制造的核心工艺环节。薄膜沉积技术是以各类适当化学反应源在外加能量（包括热、光、等离子体等）的驱动下激活，将由此形成的原子、离子、活性反应基团等在衬底表面进行吸附，并在适当的位置发生化学反应或聚结，渐渐形成几纳米至几微米不等厚度的金属、介质、或半导体材料薄膜。芯片是微型结构体，其内部结构是3D立体式形态，衬底之上的微米或纳米级薄膜构成了制作电路的功能材料层。图：PE CVD原理图来自拓荆以薄膜设备CVD为例说明，CVD的核心零部件一般包括射频系统及等离子体源、大气及真
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CMP：半导体制造工艺的平滑艺术

1、CMP工艺简介 CMP（Chemical Mechanical Polishing）化学机械抛光，是一个将晶圆表面打磨得光滑平整的过程。想象您在打磨一块宝石，除了手工的磨削，您还往上滴几滴特制的药剂，使其快变得光滑，这就是CMP工艺的缩影，它通过化学反应和机械力的配合，将晶圆表磨削到所需的平整度。图：CMP平坦化前后效果图 CMP结合了化学腐蚀和机磨削的原理，用特殊设计的抛光液和砂轮对晶圆进行处理。这一过程中，化学反应使表面材料软化，而机械磨削则去除软化的材料，从而实现平坦
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MOS管参数解析及国内外大厂技术对比

MOSFET的单位面积导通电阻和优值系数(FOM)参数代表了MOSFET的性能，是各大MOSFET厂商产品参数展示的关键指标，也是体现MOSFET芯片制造工艺核心技术能力的关键指标。通常来说，MOS管的单位面积导通电阻值和优值系数值越低表示其性能越好。而超低压MOSFET不关注优值系数，单位面积导通电阻值和漏极击穿电压之间存在取舍关系，因此对于超低压MOSFET选取单位面积导通电阻值和漏极击穿电压作为比较指标。单位面积导通电阻(Ronsp)，主要用于衡量功率器件导通状态下，
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第三代半导体碳化硅衬底分类、技术指标、生长工艺、产业链、下游应用等解析

1、第三代半导体特性 (1)碳化硅根据《中国战略性新兴产业：新材料(第三代半导体材料)》，与硅相比，碳化硅拥有更为优越的电气特性: ①耐高压：击穿电场强度大，是硅的10倍，用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度，并大大降低器件的导通损耗。 ②耐高温：半导体器件在较高的温度下，会产生载流子的本征激发现象，造成器件失效。禁带宽度越大，器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍，可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件的极限工作温度般不能超过 300
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澜起科技：存储接口芯片、发展历程

澜起科技：成立于2004年，2019年上市，拥有互连类芯片和津逮?服务器平台两大产品线。澜起科技是国际*的数据处理及互连芯片设计公司。行业地位：澜起科技的内存接口芯片作为连接CPU和内存的“高速公路”,是服务器内存模组的必配芯片，已成功进入国际主流内存、服务器和云计算领域,产品性能和质量受到市场及行业的高度认可，并占据全球市场的重要份额。澜起科技是全球微电子行业标准制定机构JEDEC(固态技术协会)董事会成员,深度参与行业标准制定，是DDR5内存接口芯片(RCD、MDB)国际标准
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CMOS图像传感器（CIS）分类及特点

CMOS图像传感器根据感光元件安装位置，主要可分为前照式结构(FSI)背照式结构(BSI)。在背照式结构的基础上，还可以进一步改良成堆栈式结构(Stacked)。堆栈式结构系在背照式结构将感光层仅保留感光元件的部分逻辑电路的基础上进行进一步改良，在上层仅保留感光元件而将所有线路层移至感光元件的下层，再将两层芯片叠在一起，芯片的整体面积被极大地缩减。此外，感光元件周围的逻辑电路也相应移至底层，可有效抑制电路噪声从而获取更优质的感光效果。采用堆栈式结构的CMOS图像传感器可在同
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