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通俗理解晶圆制造中的离子注入机台

离子注入过程就像是一个高速公路上的投射系统，从离子源开始“起步”，通过加速和质量分离进行挑选，经过加速通道达到高速，然后通过镜头和偏转装置*瞄准，最终将晶圆作为终点，*完成掺杂。离子注入机（Ion Implanter）的组成如下： 1. 离子源（Ion Source）离子源是离子注入的起点。在这里，掺杂物（通常为气态，如三氟化硼，BF?）首先被离子化。就像你想在一杯咖啡里加入糖，但糖是固体，所以你得先把它搅拌均匀才能分散开。类似的道理，在掺杂过程中，我们需要将气体
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晶圆（硅片）为什么越来越大？

在硅基集成电路生产过程中，硅片（wafer）是关键材料之一。硅片的直径和大小在整个生产工艺中起着至关重要的作用。硅片的尺寸不仅决定了可以生产的芯片数量，也对成本、产能和质量有直接影响。一、硅片尺寸的历史发展集成电路生产的早期，使用的硅片直径较小。1960年代中期，硅片的直径通常是25毫米（1英寸）。随着技术进步和对更高效生产的需求增加，硅片的尺寸不断增大。现代半导体制造中，通常使用150毫米（6英寸）、200毫米（8英寸）以及300毫米（12英寸）的硅片。图
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晶圆工艺中的扩散过程详解

扩散（Diffusion）是晶圆制造过程中至关重要的工艺步骤之一，尤其是在半导体制造中，用于掺杂硅基材料。这一过程是通过扩散将特定的掺杂物（如磷、硼、砷等）引入硅晶圆，以调整其导电性。 1. 扩散的基本原理扩散，是指分子从高浓度区域向低浓度区域移动的过程。在晶圆制造中，扩散的对象是掺杂物（例如砷、磷或硼等），这些掺杂物通过扩散在硅晶体中移动，从而形成特定的电特性。这一过程可以简单类比为在一杯水中滴入墨水，墨水开始集中在水的一部分，但经过一段时间，它会逐渐扩散，最终在整杯水中均匀分布。
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如何把单晶硅锭切成硅片？

1. 硅片制造高质量硅片的生产从单晶硅锭开始，经过多道工艺步骤，包括切片、表面处理和精加工。其中，线锯切割是将大尺寸的圆柱形硅锭切割成薄片（即硅片）的关键步骤。线锯切割是确保硅片具有所需厚度和平整度的关键步骤，同时还能尽量减少材料损耗和缺陷。这一过程需要在切割速度、精度和表面质量之间找到平衡。 2. 硅锭准备概述在上一篇文章中，我们介绍了硅锭通常通过直拉法（CZ法）或区熔法（FZ法）生长。无论采用哪种方法，最终都会得到一个直径从100毫米到300毫米不等的圆柱形单晶硅锭。在半
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为什么器件失效分析需要AFM机台？

1. 概述失效分析是确保集成电路和微电子器件可靠性、优化制造工艺的重要环节。随着技术的进步，特别是进入5nm、7nm等先进工艺节点后，器件失效模式变得更为复杂，要求我们使用各种高精度的分析工具进行失效定位和机理分析。原子力显微镜（Atomic Force Microscope，简称AFM）就是其中一种重要的分析工具。 2. 半导体工艺及失效分析半导体制造技术随着摩尔定律的发展，已经从14nm、7nm工艺进化到5nm及更先进的节点。这些先进工艺节点中，器件的微缩程度极大，导致失效模式更
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晶圆清洗的原理、流程、方法、设备

晶圆清洗（Wet Clean）是半导体制造工艺中至关重要的步骤之一，其目的是去除晶圆表面的各种污染物，确保后续工艺步骤能够在洁净的表面上进行。图：批量的晶圆清洗随着半导体器件尺寸的不断缩小和精度要求的不断提高，晶圆清洗工艺的技术要求也日益严苛。晶圆表面任何微小的颗粒、有机物、金属离子或氧化物残留都可能对器件性能产生重大影响，进而影响半导体器件的成品率和可靠性。一、晶圆清洗的核心原理晶圆清洗的核心在于通过物理、化学以及其他方法有效去除晶圆表面的各类污染物，以确保晶圆具
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聊聊芯片说明书datasheet——以国产三相无刷电机驱动芯片为例

datasheet是芯片的使用说明书，里面有芯片的产品简述、功能描述、特点、应用、封装、管脚图、内部框图、极限参数、电气参数等信息。今天，我们就来聊聊一款功能强大、特点丰富的三相无刷电机驱动芯片。我们会以一个轻松有趣的方式，分步骤地剖析其datasheet，让大家对这款芯片有一个*而深入的了解。
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晶圆制造中的真空计概念、分类、应用

真空计是用于探测真空系统中气体压力的仪器，它广泛应用于半导体制造、光伏、科研实验等领域。在这些应用中，不同种类的真空计用于测量不同的真空水平，以确保系统内的气体压力保持在指定的范围内。理解真空计的工作原理和选择适合的真空计对精确控制工艺至关重要，特别是在半导体制造中，许多关键工艺需要在特定的真空条件下进行，如蚀刻、沉积等。一、真空的概念与分类在进入真空计的具体工作原理之前，我们首先需要理解什么是“真空”。真空是指低于大气压的气体状态，气体分子的数量和能量都较低。根据真空度的不同，我们可以将
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聊聊芯片设计中EDA工具的作用、组成及主要厂商

电子设计自动化（EDA，Electronic Design Automation）是指一系列用于设计、分析和优化电子系统和集成电路（IC）的软件工具。这些工具帮助工程师们完成芯片设计中的复杂任务，包括设计数字电路、模拟电路、验证电路功能、优化性能等。通过使用EDA工具，工程师们可以在设计芯片时提高效率、减少错误，并且更容易处理像处理器这样高度复杂的芯片。
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晶面和晶向的关系

晶面和晶向是晶体学中两个核心的概念，它们与硅基集成电路工艺中的晶体结构有密切的关系。 1. 晶向的定义与性质晶向代表晶体中一个特定方向，通常用晶向指数来表示。晶向通过连接晶体结构中任意两个晶格点来定义，并且有以下几个特性：每个晶向上都包含无穷多个格点；同一个晶向可以有多个平行的晶向组成一个晶向簇；晶向簇覆盖晶体中的所有格点。晶向的重要性在于它标定了晶体内原子排列的方向性。比如，[111]晶向代表的是一个特定方向，其中三个坐标轴的投影比例为1:1:1。 2. 晶面
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