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聊聊高压CMOS工艺

高压CMOS (HVCMOS) 是一种专门为处理高电压应用而设计的CMOS技术。HVCMOS技术因其能够处理高压且同时具备低压CMOS电路的所有优势，使其在现代电子设备的各个领域中成为不可或缺的技术。无论是电源管理、汽车电子还是其他需要高压处理的场景，HVCMOS都提供了一种高效、可靠的解决方案。 1. 基础CMOS技术： CMOS（互补金属氧化物半导体）是一种用于制造集成电路的技术。它结合了n型和p型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）来实现低功耗的逻辑功能。在标准CMOS中
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晶圆制造之化学气相沉积CVD工艺

在制造集成电路时，有时候我们需要在硅片（也就是晶圆）表面上沉积一些特定的材料层，比如氮化硅（Si?N?）或氮氧化硅（SiON）。这些材料层不能直接从基板上生成，所以我们采用化学气相沉积（CVD）这种方法。 CVD的原理是：我们将含有所需元素的气体引入到反应室中，然后通过加热让这些气体分解。虽然气体不直接与晶圆表面发生反应，但晶圆表面作为一个承载的底层，气体在其表面逐渐形成我们想要的材料层。 1. 为什么需要CVD工艺？在硅基集成电路的制造过程中，有时需要在基板（通常是硅晶圆）上
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寸土寸金的晶圆为啥要留平边（flat）或凹槽（notch）？

晶圆上留下的平边（flat）或凹槽（notch）主要用于帮助在制造和处理过程中确定晶圆的类型、掺杂和晶向等信息。 1. 晶圆的晶向识别硅晶圆是由单晶硅锭通过切片制成的，硅晶锭的晶向（晶体结构排列的方向）对于半导体器件的性能和加工工艺非常重要。晶向包括常见的（100）、（110）和（111）晶向，不同晶向的硅表面有不同的物理和化学性质，对器件的电性能和蚀刻工艺会产生不同的影响。因此，在加工过程中必须确保晶向的正确识别。平边（flat）或凹槽（notch）就是用来指示晶向
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一文读懂先进封装的四大要素？TSV、Bump、RDL、wafer

先进封装的四大要素——TSV（硅通孔）、Bump（凸点）、RDL（重布线层）、Wafer（晶圆）——在现代半导体封装中扮演了核心角色。它们在封装工艺中各自承担的功能，从不同维度推动了芯片小型化、集成度和性能的提升。 1. Wafer（晶圆）：基础材料和封装载体 Wafer 是先进封装的基础，作为芯片制造的载体和平台。它由高纯度的硅材料制成，晶圆的质量和尺寸直接影响芯片的性能和良率。先进封装中，Wafer不仅是芯片制造的核心，也是未来异质集成和多芯片封装的基础。技术作用：晶圆是所
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聊聊光刻机的原理、现状与未来

光刻机是半导体制造过程中的关键设备，相当于芯片制造工艺的“印刷机”，它的精度直接影响芯片的制程和性能。根据不同光源类型，光刻机可以分为UV（紫外线）、DUV（深紫外线）和EUV（极紫外线）三大类。光刻机的分辨率主要由两个参数决定：光源的波长（λ）和物镜系统的数值孔径（NA）。简单来说，波长越短、数值孔径越大，光刻机的分辨率就越高。 1、光刻机的核心原理：瑞利判据光刻机的分辨率，即能在芯片上实现的最小特征尺寸，可以用瑞利判据（Rayleigh criterion
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先进封装核心技术之一：TSV

在先进封技术中，TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）是一种关键的垂直互连技术，它通过在芯片内部打通的通道实现了电气信号的垂直传输。TSV可以显著提高芯片之间的数据传输效率，减少信号延迟，降低功耗，并提升封装的集成密度。以下是对TSV技术的详细解释。 1. TSV的基本概念 TSV 是一种通过晶圆（Wafer）或芯片（Die）的垂直通孔，将多个芯片堆叠在一起并实现它们之间直接互连的技术。传统的芯片互连方式通常依赖于平面布线，芯片之间的信息传输必须通过芯片的外部连接器，这导致了
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芯片设计之功能逻辑仿真

Functional Logic Simulation可以看作是芯片设计的“逻辑验证”阶段，确保设计功能如预期工作。它的主要目的是在时序无关的情况下，确认芯片的逻辑结构是否正确。这个步骤帮助工程师在芯片制造之前，发现并修正设计中的逻辑错误。
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为啥6寸晶圆用平边，8/12寸晶圆用notch？

最近读者提问：“6寸晶圆用平边，8/12寸晶圆用notch，用Notch 比平边好，为啥6寸还是用平边”这个问题时，我们可以从晶圆制造、工艺要求、历史原因和设备兼容性等多个角度进行分析。
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聊聊晶圆和芯片量产阶段的full-mask

在集成电路工艺中，“full-mask”是一个关键概念，它涉及到半导体制造过程中掩模版的使用。掩模版是半导体光刻工艺中用于硅片表面图案化的光学工具。掩模版上有微小的图案，这些图案将通过光刻过程转移到硅片的光刻胶上，从而定义了芯片的功能区和布线层。
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SOI晶圆的结构、分类、优势、下游应用

SOI（Silicon-On-Insulator）是一种半导体制造技术，其中硅晶圆的一部分被绝缘层（通常是二氧化硅）隔离开来，这样可以有效地减少寄生电容和漏电流，提升器件性能。
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